本发明涉及神经突触网络技术领域，特指一种具有记忆功能的神经突触网络。根据电容充放电存储信息的原理，给晶体管施加电压，使晶体管导通对电路中的电容进行充电，并通过对该种晶体管进行n×n阵列形式排布，形成具有记忆功能的神经突触网络。其中利用氧化钨作为薄膜晶体管的栅介质层，IZO作为沟道层实现双电层突触晶体管的制作。对双电层突触晶体管进行n×n阵列形式排布，通过电路连接形成具有记忆功能的神经突触网络。

本发明提供一种双电层突触晶体管及其阵列组成一种具有记忆功能的神经突触网络及其制备方法：①根据电容充放电存储信息的原理，给晶体管施加电压，使晶体管导通对电路中的电容进行充电，并通过对该种晶体管进行n×n阵列形式排布，形成具有记忆功能的神经突触网络；②其中利用氧化钨作为薄膜晶体管的栅介质层，IZO作为沟道层实现双电层突触晶体管的制作；③对双电层突触晶体管进行n×n阵列形式排布，通过电路连接形成具有记忆功能的神经突触网络。

本发明通过对双电层突触晶体管阵列排布，形成一种具有记忆功能的神经突触网络，该网络在性能上具有高度并行处理信息以及存储信息的能力。而且相对于其他器件组成的神经网络其尺寸更小、能耗更低、结构更加简单，实际应用中更易于实现。

转化方式：转让

成熟度：研制阶段

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